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總結(jié)-中國(guó)可靠性環(huán)境試驗(yàn)（測(cè)試）國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)大綱
通常環(huán)境可靠性試驗(yàn)分為以下三類：力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)、氣候環(huán)境試驗(yàn)和綜合環(huán)境試驗(yàn)。力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)主要包括機(jī)械振動(dòng)、機(jī)械沖擊、跌落、碰撞、穩(wěn)態(tài)加速度試驗(yàn)等，氣候環(huán)境試驗(yàn)主要包括溫度試驗(yàn)、溫濕度試驗(yàn)、氣壓試驗(yàn)、水試驗(yàn)、鹽霧試驗(yàn)、砂塵試驗(yàn)、氣體腐蝕試驗(yàn)等，綜合環(huán)境試驗(yàn)主要包括溫度氣壓綜合試驗(yàn)、溫度振動(dòng)綜合試驗(yàn)、溫度濕度振動(dòng)綜合試驗(yàn)、溫度氣壓濕度綜合試驗(yàn)等。
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是什么影響高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱溫度均勻性
在高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱環(huán)境試驗(yàn)中，如果溫度均勻性超過(guò)允許偏差范圍，則試驗(yàn)獲得的數(shù)據(jù)不可靠，試驗(yàn)數(shù)據(jù)不能作為材料或產(chǎn)品高低溫試驗(yàn)的極限耐久性。高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱是溫濕度環(huán)境試驗(yàn)的主要設(shè)備。主要進(jìn)行高、低溫、濕度測(cè)試，評(píng)估產(chǎn)品的耐溫濕性能，以確保我們的產(chǎn)品在任何環(huán)境條件下都能正常運(yùn)行。
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IC芯片等產(chǎn)品高溫測(cè)試失效原因分析
該產(chǎn)品的高溫失效問(wèn)題，與COB各材料都有著密切的關(guān)系: PCB、IC、邦定線、黑膠。但最主要的原因是在IC質(zhì)量有缺陷的前提下，由于黑膠、邦定線、PCB各部分的熱膨脹系數(shù)(CTE)，在高溫條件下，黑膠可能拉動(dòng)邦定線，導(dǎo)致接觸不良使得IC功能喪失。
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半導(dǎo)體高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中，半導(dǎo)體高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)涉及到半導(dǎo)體分立器件。在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中，半導(dǎo)體高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)涉及到半導(dǎo)體分立器件綜合、電力半導(dǎo)體器件、部件。國(guó)際電工委員會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)
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LED燈溫度循環(huán)試驗(yàn)測(cè)試方法
溫度循環(huán)試驗(yàn)應(yīng)按照 GB/T 2423.22-2012 的試驗(yàn) Nb: “規(guī)定變化速率的溫度變化”和下述規(guī)定 進(jìn)行。 試驗(yàn)應(yīng)在滿足 GB/T 2424.5—2006 要求的試驗(yàn)箱內(nèi)進(jìn)行。試驗(yàn)溫度見表 1，溫度容差為士2 K。
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總結(jié)-中國(guó)可靠性環(huán)境試驗(yàn)（測(cè)試）國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)大綱
通常環(huán)境可靠性試驗(yàn)分為以下三類：力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)、氣候環(huán)境試驗(yàn)和綜合環(huán)境試驗(yàn)。力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)主要包括機(jī)械振動(dòng)、機(jī)械沖擊、跌落、碰撞、穩(wěn)態(tài)加速度試驗(yàn)等，氣候環(huán)境試驗(yàn)主要包括溫度試驗(yàn)、溫濕度試驗(yàn)、氣壓試驗(yàn)、水試驗(yàn)、鹽霧試驗(yàn)、砂塵試驗(yàn)、氣體腐蝕試驗(yàn)等，綜合環(huán)境試驗(yàn)主要包括溫度氣壓綜合試驗(yàn)、溫度振動(dòng)綜合試驗(yàn)、溫度濕度振動(dòng)綜合試驗(yàn)、溫度氣壓濕度綜合試驗(yàn)等。
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是什么影響高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱溫度均勻性
在高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱環(huán)境試驗(yàn)中，如果溫度均勻性超過(guò)允許偏差范圍，則試驗(yàn)獲得的數(shù)據(jù)不可靠，試驗(yàn)數(shù)據(jù)不能作為材料或產(chǎn)品高低溫試驗(yàn)的極限耐久性。高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱是溫濕度環(huán)境試驗(yàn)的主要設(shè)備。主要進(jìn)行高、低溫、濕度測(cè)試，評(píng)估產(chǎn)品的耐溫濕性能，以確保我們的產(chǎn)品在任何環(huán)境條件下都能正常運(yùn)行。
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IC芯片等產(chǎn)品高溫測(cè)試失效原因分析
該產(chǎn)品的高溫失效問(wèn)題，與COB各材料都有著密切的關(guān)系: PCB、IC、邦定線、黑膠。但最主要的原因是在IC質(zhì)量有缺陷的前提下，由于黑膠、邦定線、PCB各部分的熱膨脹系數(shù)(CTE)，在高溫條件下，黑膠可能拉動(dòng)邦定線，導(dǎo)致接觸不良使得IC功能喪失。
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半導(dǎo)體高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中，半導(dǎo)體高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)涉及到半導(dǎo)體分立器件。在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中，半導(dǎo)體高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)涉及到半導(dǎo)體分立器件綜合、電力半導(dǎo)體器件、部件。國(guó)際電工委員會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)
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LED燈溫度循環(huán)試驗(yàn)測(cè)試方法
溫度循環(huán)試驗(yàn)應(yīng)按照 GB/T 2423.22-2012 的試驗(yàn) Nb: “規(guī)定變化速率的溫度變化”和下述規(guī)定 進(jìn)行。 試驗(yàn)應(yīng)在滿足 GB/T 2424.5—2006 要求的試驗(yàn)箱內(nèi)進(jìn)行。試驗(yàn)溫度見表 1，溫度容差為士2 K。
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